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IXFX 50N50
IXFX 55N50
12
Figure 7. Gate Charge
10000
Figure 8. Capacitance Curves
10
V DS = 250V
Ciss
f = 1MHz
I D = 27.5A
8
6
1000
Coss
4
Crss
2
0
100
0
50
100
150
200
250
300
350
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
80
60
40
20
0
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
T J = 125 O C
T J = 25 O C
V DS - Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
1.00
0.10
0.01
0.00
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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